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PJSOT05CWT/R7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小129KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSOT05CWT/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

PJSOT05CWT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJSOT05CW SERIES
STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
VOLTAGE
FEATURES
200 Watts Peak Pulse Power per Line ( tp=8/20
µs)
Low Clampoing Voltage
Unidirectional & Bidirectional Configurations
IEC61000-4-2,Level 4
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
5~24 Volts
POWER
200 Watts
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx Weight: 0.005gram
DEVICE CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C unless otherwise specified.
PA RA M E TE R
P e a k P ul s e P o w e r ( t p = 8 / 2 0
µ
s )
O p e r a t i n g Te m p e r a t u r e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e
F o r w a r d V o l t a g e @ 1 0 0 m A , 3 0 0
µ
s - S q ua r e Wa ve
S YM B O L
P
PP
T
J
T
S TG
V
F
VA L UE
200
-5 5 to +1 5 0
-5 5 to +1 5 0
1 .5
U N IT S
Wa t t s
O
C
C
O
Vo lts
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Part Number
R e ve r s e
S t a nd
- o ff Vo lta g e
V
RWM
M a x. V
5
24
M i nm um
B re a k d o wn
Vo lta g e
@ 1 mA V
B R
V
6
26.7
M a x C l a m p i ng
Vo lta g e @ 8 /2 0
µ
sec
V
CL
@ I
PP
V
9
43
P e a k P ul s e
C ur r e nt 8 / 2 0
µ
sec
I
PP
A
7
4
Maximum
Off-State
L e a ka g e
Capacitance,
Current
1MHz Zero dc Bias
@ V
RWM
I
D
Cd
µA
M a x. p F
5
1
Marking
C ode
PJSOT05CW
PJSOT24CW
110
30
2C
6C A
REV.0.1-DEC.23.2008
PAGE . 1
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