电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SN74AHCT367N

产品描述Buffers & Line Drivers Hex Buff & Line Drv w/3-State Outputs
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小679KB,共18页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

SN74AHCT367N在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SN74AHCT367N - - 点击查看 点击购买

SN74AHCT367N概述

Buffers & Line Drivers Hex Buff & Line Drv w/3-State Outputs

SN74AHCT367N规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codecompli
其他特性ONE FUNCTION WITH TWO BITS
控制类型ENABLE LOW
系列AHCT/VHCT/VT
JESD-30 代码R-PDIP-T16
长度19.305 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
最大I(ol)0.008 A
位数6
功能数量1
端口数量2
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Su6.5 ns
传播延迟(tpd)6.5 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

SN74AHCT367N相似产品对比

SN74AHCT367N SN74AHCT367NSR
描述 Buffers & Line Drivers Hex Buff & Line Drv w/3-State Outputs Buffers & Line Drivers Hex Buff & Line Drv w/3-State Outputs
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP16,.3 SOP, SOP16,.3
针数 16 16
Reach Compliance Code compli unknow
其他特性 ONE FUNCTION WITH TWO BITS ONE FUNCTION WITH TWO BITS
控制类型 ENABLE LOW ENABLE LOW
系列 AHCT/VHCT/VT AHCT/VHCT/VT
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-PDSO-G16
长度 19.305 mm 10.2 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER BUS DRIVER
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A
位数 6 6
功能数量 1 1
端口数量 2 2
端子数量 16 16
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE
输出极性 TRUE TRUE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP16,.3 SOP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Su 6.5 ns 6.5 ns
传播延迟(tpd) 6.5 ns 6.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 5.3 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 293  371  441  906  1042 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved