电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RHRU7560

产品描述75A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RHRU7560概述

75A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218, 1 PIN

RHRU7560规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-218
包装说明TO-218, 1 PIN
针数1
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.1 V
JESD-30 代码R-PSFM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流750 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流75 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
RHRU7540, RHRU7550, RHRU7560
Data Sheet
April 1995
File Number
3945.1
75A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
RHRU7540, RHRU7550 and RHRU7560 (TA49067) are
hyperfast diodes with soft recovery characteristics
(t
RR
< 55ns). They have half the recovery time of ultrafast
diodes and are silicon nitride passivated ion-implanted epi-
taxial planar construction.
These devices are intended for use as freewheeling/clamp-
ing diodes and rectifiers in a variety of switching power sup-
plies and other power switching applications. Their low
stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing
and electrical noise in many power switching circuits reduc-
ing power loss in the switching transistors.
Features
• Hyperfast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . .<55ns
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175
o
C
• Reverse Voltage Up To . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .600V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction
Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
Ordering Information
PACKAGING AVAILABILITY
PART NUMBER
RHRU7540
RHRU7550
RHRU7560
PACKAGE
TO-218
TO-218
TO-218
BRAND
RHRU7540
RHRU7550
RHRU7560
• General Purpose
Package
SINGLE LEAD JEDEC STYLE TO-218
ANODE
CATHODE
(FLANGE)
NOTE: When ordering, use the entire part number.
Symbol
K
A
Absolute Maximum Ratings
T
C
= +25
o
C, Unless Otherwise Specified
Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
RRM
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
RWM
DC Blocking Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
R
Average Rectified Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
F(AV)
(T
C
= +80
o
C)
Repetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
FSM
(Square Wave, 20kHz)
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
FSM
(Halfwave, 1 Phase, 60Hz)
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
Avalanche Energy (See Figures 10 and 11). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
AVL
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
STG
, T
J
RHRU7540
400
400
400
75
150
750
190
50
-65 to +175
RHRU7550
500
500
500
75
150
750
190
50
-65 to +175
RHRU7560
600
600
600
75
150
750
190
50
-65 to +175
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
mj
o
C
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999

RHRU7560相似产品对比

RHRU7560 RHRU7550 RHRU7540
描述 75A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218, 1 PIN 75A, 500V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218, 1 PIN 75A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 TO-218, 1 PIN TO-218, 1 PIN TO-218, 1 PIN
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREEWHEELING DIODE
应用 HYPERFAST SOFT RECOVERY HYPERFAST SOFT RECOVERY HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 2.1 V 2.1 V 2.1 V
JESD-30 代码 R-PSFM-D1 R-PSFM-D1 R-PSFM-D1
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 750 A 750 A 750 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 75 A 75 A 75 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 500 V 400 V
最大反向恢复时间 0.06 µs 0.06 µs 0.06 µs
表面贴装 NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1361  205  102  1378  759  34  26  57  19  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved