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RURH30100CC

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小18KB,共1页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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RURH30100CC概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon

RURH30100CC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散125 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流500 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RURH3070CC, RURH3080CC, RURH3090CC, RURH30100CC
Typical Performance Curves
200
100
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
I
R
, REVERSE CURRENT (µA)
200
100
T
J
= +150
o
C
T
J
= +150
o
C
10
T
J
= +100
o
C
1.0
10
T
J
=
+100
o
C
T
J
= +25
o
C
0.1
T
J
= +25
o
C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
, FORWARD VOLTAGE DROP (V)
0.01
0
200
400
600
800
1000
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
FIGURE 3. TYPICAL FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
200
FIGURE 4. TYPICAL REVERSE CURRENT vs VOLTAGE
35
30
DC
25
20
15
10
5
0
1.0
10
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
50
100
120
140
160
180
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
t, RECOVERY TIMES (ns)
150
t
RR
I
F(AVG)
, AVERAGE CURRENT (A)
SQUARE WAVE
100
t
A
50
t
B
0
FIGURE 5. TYPICAL t
RR
, t
A
AND t
B
CURVES vs FORWARD
CURRENT
FIGURE 6. CURRENT DERATING CURVE FOR ALL TYPES
Q
1
L
R +
V
DD
130Ω
1MΩ
DUT
V
AVL
12V
Q
2
130Ω
CURRENT
SENSE
V
DD
-
I
L
I V
12V
t
0
t
1
t
2
t
FIGURE 7. AVALANCHE ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 8. AVALANCHE CURRENT AND VOLTAGE WAVEFORMS
I
MAX
= 1A
,
L = 40mH
,
R < 0.1Ω
,
E
AVL
= 1/2LI
2
[V
AVL
/(V
AVL
- V
DD
)]
,
Q
1
& Q
2
ARE 1000V MOSFETS
6-54

RURH30100CC相似产品对比

RURH30100CC RURH3090CC
描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 30A, 900V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREEWHEELING DIODE FREEWHEELING DIODE
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.8 V 1.8 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 30 A 30 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 125 W 125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 900 V
最大反向电流 500 µA 500 µA
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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