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HMP125V7EFR4C-S6

产品描述DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240
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文件大小547KB,共24页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMP125V7EFR4C-S6概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMP125V7EFR4C-S6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
长度133.35 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织256MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度18.29 mm
自我刷新YES
最大待机电流1.01 A
最大压摆率5.6 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度4 mm
Base Number Matches1

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240pin DDR2 VLP Registerd DIMMs based on 1Gb E version
This Hynix DDR2 VLP (Very Low Profile) registered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 1Gb E ver-
sion DDR2 SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 1Gb E ver-
sion based VLP Registered DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 133.35mm width form factor of
industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.
ORDERING INFORMATION
Part Name
HMP112V7EFR8C-C4/Y5/S6
HMP125V7EFR4C-C4/Y5/S6
HMP351V7EMR4C-C4/Y5/S6
Density
1GB
2GB
4GB
Org.
128Mbx72
256Mbx72
512Mbx72
# of
DRAMs
9
18
36
# of
Ranks
1
1
2
Materials
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
Parity
Support
O
O
O
SPEED GRADE & KEY PARAMETERS
C4 (DDR2-533)
Speed@CL3
Speed@CL4
Speed@CL5
Speed@CL6
CL-tRCD-tRP
400
533
-
-
4-4-4
Y5 (DDR2-667)
400
533
667
-
5-5-5
S6 (DDR2-800)
-
400
533
800
6-6-6
Unit
Mbps
Mbps
Mbps
Mbps
tCK
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.3 / Sep. 2008
1

HMP125V7EFR4C-S6相似产品对比

HMP125V7EFR4C-S6 HMP351V7EMR4C-Y5
描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM, 512MX8, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 240 240
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.4 ns 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 400 MHz 333 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
长度 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 2147483648 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 240 240
字数 268435456 words 536870912 words
字数代码 256000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C
组织 256MX8 512MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
座面最大高度 18.29 mm 18.29 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 1.01 A 1.01 A
最大压摆率 5.6 mA 4.88 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20
宽度 4 mm 7.55 mm
Base Number Matches 1 1

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