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M29DW128G60ZA6E

产品描述8M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA64
产品类别存储    存储   
文件大小231KB,共11页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
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M29DW128G60ZA6E概述

8M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA64

8M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, PBGA64

M29DW128G60ZA6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA64,8X8,40
针数64
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间60 ns
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B64
长度13 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,62
端子数量64
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
页面大小8 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模32K,128K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度10 mm

M29DW128G60ZA6E相似产品对比

M29DW128G60ZA6E M29DW128G M29DW128G60NF6E M29DW128G60NF6F M29DW128G60ZA6F
描述 8M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA64 8M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA64 Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, TSOP-56 Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, TSOP-56 8M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA64
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 64 64 56 56 64
组织 8MX16 8M × 16 8MX16 8MX16 8MX16
表面贴装 YES Yes YES YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL GULL WING GULL WING BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL BOTTOM
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA - TSOP TSOP BGA
包装说明 TBGA, BGA64,8X8,40 - TSSOP, TSSOP56,.8,20 TSSOP, TSSOP56,.8,20 TBGA, BGA64,8X8,40
针数 64 - 56 56 64
Reach Compliance Code unknow - unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 -
最长访问时间 60 ns - 60 ns 60 ns 60 ns
启动块 BOTTOM/TOP - BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP
命令用户界面 YES - YES YES YES
通用闪存接口 YES - YES YES YES
数据轮询 YES - YES YES YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B64 - R-PDSO-G56 R-PDSO-G56 R-PBGA-B64
长度 13 mm - 18.4 mm 18.4 mm 13 mm
内存密度 134217728 bi - 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bi
内存集成电路类型 FLASH - FLASH FLASH FLASH
部门数/规模 8,62 - 8,62 8,62 8,62
字数 8388608 words - 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 - 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA - TSSOP TSSOP TBGA
封装等效代码 BGA64,8X8,40 - TSSOP56,.8,20 TSSOP56,.8,20 BGA64,8X8,40
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小 8 words - 8 words 8 words 8 words
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/3.3 V - 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 3 V - 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES - YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 32K,128K - 32K,128K 32K,128K 32K,128K
最大待机电流 0.0001 A - 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.015 mA - 0.015 mA 0.015 mA 0.015 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V 3 V 3 V
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
端子节距 1 mm - 0.5 mm 0.5 mm 1 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES - YES YES YES
类型 NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 10 mm - 14 mm 14 mm 10 mm
是否无铅 - - 不含铅 不含铅 不含铅

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