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BZW50-56BRL

产品描述5000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, R6, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小169KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准  
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BZW50-56BRL概述

5000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, R6, 2 PIN

BZW50-56BRL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压62.2 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压99.6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压56 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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®
BZW50-10,B/180,B
TRANSIL
TM
FEATURES
s
s
s
s
s
s
PEAK PULSE POWER : 5000 W (10/1000µs)
STAND-OFF VOLTAGE RANGE :
From 10V to 180V
UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES
LOW CLAMPING FACTOR
FAST RESPONSE TIME
UL RECOGNIZED
DESCRIPTION
Transil diodes provide high overvoltage protection
by clamping action. Their instantaneous response
to transient overvoltages makes them particu-
larly suited to protect voltage sensitive devices
such as MOS Technology and low voltage sup-
plied IC’s.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25°C)
Symbol
P
PP
P
I
FSM
T
stg
T
j
T
L
Parameter
Peak pulse power dissipation (see note 1)
Power dissipation on infinite heatsink
Non repetitive surge peak forward current
for unidirectional types
Storage temperature range
Maximum junction temperature
Maximum lead temperature for soldering during 10s at 5mm
from case
Tj initial = T
amb
T
amb
= 75°C
tp = 10ms
Tj initial = T
amb
Value
5000
6.5
500
- 65 to + 175
175
230
Unit
W
W
A
°C
°C
°C
R6
Note 1
: For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
THERMAL RESISTANCES
Symbol
R
th (j-l)
R
th (j-a)
Junction to leads
Junction to ambient on printed circuit.
L
lead
= 10 mm
Parameter
Value
15
65
Unit
°C/W
°C/W
February 2003- Ed : 4A
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