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IRFR540Z

产品描述HEXFET㈢ Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小353KB,共11页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFR540Z概述

HEXFET㈢ Power MOSFET

IRFR540Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)39 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.0285 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)91 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRFR540Z相似产品对比

IRFR540Z
描述 HEXFET㈢ Power MOSFET
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 39 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 35 A
最大漏极电流 (ID) 35 A
最大漏源导通电阻 0.0285 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 225
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 91 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
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