K3P4C1000E-DC150,K3P4C1000E-DC150 pdf中文资料,K3P4C1000E-DC150引脚图,K3P4C1000E-DC150电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K3P4C1000E-DC150

K3P4C1000E-DC150: 产品描述MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42; 产品类别存储存储; 文件大小39KB，共4页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K3P4C1000E-DC150概述

MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

K3P4C1000E-DC150规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	42
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDIP-T42
长度	52.43 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	42
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

K3P4C1000E-DC150相似产品对比

	K3P4C1000E-DC150	K3P4C1000E-DC100	K3P4C1000E-GC100	K3P4C1000E-GC120	K3P4C1000E-GC150	K3P4C1000E-DC120
描述	MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42	MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42	MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	SOP,	SOP,	SOP,	DIP,
针数	42	42	44	44	44	42
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	150 ns	100 ns	100 ns	120 ns	150 ns	120 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8
JESD-30 代码	R-PDIP-T42	R-PDIP-T42	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDIP-T42
长度	52.43 mm	52.43 mm	28.5 mm	28.5 mm	28.5 mm	52.43 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	42	42	44	44	44	42
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	225	225	225	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	3.1 mm	3.1 mm	3.1 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm	12.6 mm	12.6 mm	12.6 mm	15.24 mm
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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