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CAT28LV256HNI-35T

产品描述EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小216KB,共10页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
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CAT28LV256HNI-35T概述

EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

CAT28LV256HNI-35T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间350 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1
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