Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SB8100DCN-T3

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SB8100DCN-T3: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小47KB，共3页; 制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.; 官网地址https://www.wontop.com/

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SB8100DCN-T3概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

SB8100DCN-T3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ANODE
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.85 V
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	150 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-50 °C
最大输出电流	4 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	500 µA
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

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WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB820DC – SB8100DC

8.0A D

PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

PIN 1

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

PAK/TO-263

Dim

Min

Max

9.8

10.4

9.6

10.6

4.4

4.8

8.5

9.1

—

0.7

1.0

1.4

—

0.9

1.2

1.4

0.3

0.7

2.35

2.75

All Dimensions in mm

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 1.7 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Standard Packaging: 24mm Tape (EIA-481)

PIN 1 -

PIN 3 -

Case PIN 2

Potive CT

PIN 1 +

PIN 3 +

Case PIN 2

Negative CT

Suffix with “N”

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.

Unit

820DC 830DC 840DC 850DC 860DC 880DC 8100DC

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

= 100°C

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

, T

STG

8.0

150

100

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

Forward Voltage

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

= 4.0A

= 25°C

= 100°C

0.55

0.5

400

0.75

0.85

K/W

°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

-50 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB820DC – SB8100DC

1 of 3

SB8100DCN-T3相似产品对比

	SB8100DCN-T3	SB850DCN-T3	SB860DCN-T3	SB830DCN-T3	SB820DCN-T3	SB840DCN-T3	SB880DCN-T3
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 60V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 20V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	TO-263, D2PAK-3/2	TO-263, D2PAK-3/2	TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.85 V	0.75 V	0.75 V	0.55 V	0.55 V	0.55 V	0.85 V
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	150 A	150 A	150 A	150 A	150 A	150 A	150 A
元件数量	2	2	2	2	2	2	2
相数	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-50 °C	-50 °C	-50 °C	-50 °C	-50 °C	-50 °C	-50 °C
最大输出电流	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	60 V	30 V	20 V	40 V	80 V
最大反向电流	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-
厂商名称	-	-	-	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.

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