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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFZT795A
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UFZT795A

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB，共2页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UFZT795A概述

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

UFZT795A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
* 140 Volt V
CEO
* Gain of 250 at I
C
=0.2 Amps and very low V
CE(sat)
APPLICATIONS
* Battery powered circuits
COMPLEMENTARY TYPE – FZT694B
PARTMARKING DETAIL – FZT795A
FZT795A
C
E
C
B
VALUE
-140
-140
-5
-1
-500
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
mA
W
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Breakdown Voltages
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j:
T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
Cut-Off Currents
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Input Capacitance
Output Capacitance
Switching Times
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
f
T
C
ibo
C
obo
t
on
t
off
300
250
100
100
225
15
100
1900
-0.75
800
-140
-140
-5
-0.1
-0.1
-0.3
-0.3
-0.25
-0.95
V
V
V
µ
A
µ
A
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-100V
V
EB
=-4V
I
C
=-100mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-200mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-200mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-300mA, V
CE
=-2V*
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
ns
ns
I
C
=-50mA, V
CE
=-5V
f=50MHz
V
EB
=-0.5V, f=1MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz
I
C
=-100mA, I
B1
=-10mA
I
B2
=-10mA, V
CC
=-50V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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UFZT795A相似产品对比

UFZT795A
描述 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
是否Rohs认证 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 140 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz
Base Number Matches 1

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