EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.006 mA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| BR93CS46 | BR93CS46F | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, | EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 1024 bit | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 64 words | 64 words |
| 字数代码 | 64 | 64 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64X16 | 64X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 电源 | 3/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 串行总线类型 | MICROWIRE | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.006 mA | 0.006 mA |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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