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NM24W08LVN

产品描述EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
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文件大小105KB,共14页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NM24W08LVN概述

EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

NM24W08LVN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性16 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DMMR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)15 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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NM24Wxx 2K/4K/8K/16K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface
Serial EEPROM with Full Array Write Protect
PRELIMINARY
March 1999
NM24Wxx
2K/4K/8K/16K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface
Serial EEPROM with Full Array Write Protect
General Description
The NM24Wxx devices are 2048/4096/8192/16,384 bits, respec-
tively, of CMOS non-volatile electrically erasable memory. These
devices conform to all specifications in the IIC 2-wire protocol and
are designed to minimize device pin count, and simplify PC board
layout requirements.
The entire ememory can be disabled (Write Protected) by con-
necting the WP pin to V
CC
. The memory then becomes unalterable
unless WP is switched to V
SS
.
This communications protocol uses CLOCK (SCL) and DATA
I/O (SDA) lines to synchronously clock data between the master
(for example a microprocessor) and the slave EEPROM device(s).
The Standard IIC protocol allows for a maximum of 16K of
EEPROM memory which is supported by Fairchild's family in 2K,
4K, 8K, and 16K devices, allowing the user to configure the
memory as the application requires with any combination of
EEPROMs.
Fairchild EEPROMs are designed and tested for applications
requiring high endurance, high reliability and low power consump-
tion.
Features
s
Hardware Write Protect for entire memory
s
Low Power CMOS
200µA active current typical
10µA standby current typical
1µA standby typical (L)
0.1µA standby typical (LZ)
s
IIC Compatible interface
— Provides bidirectional data transfer protocol
s
Sixteen byte page write mode
— Minimizes total write time per byte
s
Self timed write cycle
— Typical write cycle time of 6ms
s
Endurance: 1,000,000 data changes
s
Data retention greater than 40 years
s
Packages available: 8-pin DIP, 8-pin SO, and 8-pin TSSOP
s
Available in three temperature ranges
- Commercial: 0° to +70°C
- Extended (E): -40° to +85C
- Automotive (V): -40° to +125°C
Block Diagram
VCC
VSS
WP
START CYCLE
SDA
START
STOP
LOGIC
CONTROL
LOGIC
SLAVE ADDRESS
REGISTER &
COMPARATOR
LOAD
A2
A1
A0
WORD
ADDRESS
COUNTER
INC
16/
32/
64/
128/
E2PROM
ARRAY
H.V. GENERATION
TIMING &CONTROL
SCL
XDEC
0/1/2/3
4
4
16
R/W
YDEC
Device Address Bits
CK
DIN
8
DOUT
DATA REGISTER
DS500074-1
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
NM24Wxx Rev. C.2
1
www.fairchildsemi.com
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