Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM5116405LSI-7

文档预览

HM5116405LSI-7: 产品描述EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24; 产品类别存储存储; 文件大小324KB，共30页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HM5116405LSI-7概述

EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

HM5116405LSI-7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ24/26,.34
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
长度	16.9 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	3.76 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HM5116405I Series

4,194,304-word

4-bit Dynamic RAM

ADE-203-757A (Z)

Rev. 1.0

Mar. 17, 1997

Description

The Hitachi HM5116405I Series is CMOS dynamic RAM organized 4,194,304-word

4-bit. It employs

the most advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM5116405I Series

offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. It is packaged in 26-pin plastic

SOJ.

Features

•

Single 5 V (±10%)

•

Access time: 60 ns/70 ns (max)

•

Power dissipation



Active mode : 440 mW/385 mW (max)



Standby mode : 11 mW (max)

0.83 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

•

Refresh cycles



4096 refresh cycles : 64 ms

: 128 ms (L-version)

•

3 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh

•

Battery backup operation (L-version)

•

Test function



16-bit parallel test mode

•

Temperatre range: –40 to +85˚C

HM5116405LSI-7相似产品对比

	HM5116405LSI-7	HM5116405SI-6	HM5116405SI-7	HM5116405LSI-6
描述	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ24/26,.34	SOJ, SOJ24/26,.34	SOJ, SOJ24/26,.34	SOJ, SOJ24/26,.34
针数	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	60 ns	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	16.9 mm	16.9 mm	16.9 mm	16.9 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.00015 A	0.001 A	0.001 A	0.00015 A
最大压摆率	0.07 mA	0.08 mA	0.07 mA	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

HM5116405LSI-7

HM5116405LSI-7概述

HM5116405LSI-7规格参数

文档预览

HM5116405LSI-7相似产品对比

推荐资源