HYS64D64300HU-7-B概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

HYS64D64300HU-7-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
JESD-609代码	e3
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

D a t a S h e e t , V 0 . 5 , S e p . 2 00 3

H Y S 6 4 D 6 4 3 0 0 H U -[ 5 / 6 / 7 ] - B

H Y S 7 2 D 6 4 3 0 0 H U -[ 5 / 6 / 7 F ] - B

H Y S 6 4 D 1 2 8 3 2 0 H U - [ 5 / 6 / 7 ] -B

H Y S 7 2 D 1 2 8 3 2 0 H U - [ 5 / 6 / 7 F ] -B

1 8 4 - P i n U n b u f f er e d D u a l - I n- L i n e M e m o r y M o d u l es

U D IM M

DDR SDRAM

M e m or y P r o du c t s

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

HYS64D64300HU-7-B相似产品对比

	HYS64D64300HU-7-B	HYS64D128320HU-7-B	HYS72D64300HU-7F-B	HYS72D128320HU-7F-B
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	4294967296 bit	8589934592 bit	4831838208 bit	9663676416 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	72	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184
字数	67108864 words	134217728 words	67108864 words	134217728 words
字数代码	64000000	128000000	64000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX64	128MX64	64MX72	128MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-
JESD-609代码	e3	e3	e3	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
厂商名称	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

HYS64D64300HU-7-B

HYS64D64300HU-7-B概述

HYS64D64300HU-7-B规格参数

文档预览

HYS64D64300HU-7-B相似产品对比

推荐资源