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NE090101-07

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共4页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE090101-07概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NE090101-07规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量5 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值8.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NE090101-07相似产品对比

NE090101-07 NEM090701-07 NEM090301-07
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F2 DISK BUTTON, O-CRDB-F2 DISK BUTTON, O-CRDB-F2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 3 A 1.5 A
基于收集器的最大容量 5 pF 40 pF 20 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F2 O-CRDB-F2 O-CRDB-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 8.3 W 35 W 17.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - California Eastern Labs California Eastern Labs
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