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HYB39S64XXX0ATL-10

产品描述Synchronous DRAM, 4MX4, 7ns, CMOS, PDSO54
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文件大小2MB,共53页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB39S64XXX0ATL-10概述

Synchronous DRAM, 4MX4, 7ns, CMOS, PDSO54

HYB39S64XXX0ATL-10规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HYB39S64XXX0ATL-10相似产品对比

HYB39S64XXX0ATL-10 HYB39S64XXX0ATL-8
描述 Synchronous DRAM, 4MX4, 7ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO54
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 54 54
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
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