电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

5082-1006

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB,共4页
制造商Broadcom(博通)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

5082-1006概述

Rectifier Diode, 1 Element, Silicon

5082-1006规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.0015 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

5082-1006相似产品对比

5082-1006
描述 Rectifier Diode, 1 Element, Silicon
包装说明 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LALF-W2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W
认证状态 Not Qualified
最大反向恢复时间 0.0015 µs
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 16  375  688  1408  1548 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved