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NTP75N03R

产品描述75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小775KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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NTP75N03R概述

75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN

NTP75N03R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明CASE 221A-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 221A-09
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)71.7 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)225 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NTP75N03R相似产品对比

NTP75N03R NTB75N03RG NTB75N03RT4G NTP75N03RG NTB75N03R NTB75N03RT4
描述 75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN 75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN 75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418AA-01, D2PAK-3 75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418AA-01, D2PAK-3
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 CASE 221A-09, 3 PIN LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 CASE 221A-09, 3 PIN CASE 418AA-01, D2PAK-3 CASE 418AA-01, D2PAK-3
针数 3 3 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 221A-09 CASE 418AA-01 CASE 418AA-01 CASE 221A-09 CASE 418AA-01 CASE 418AA-01
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow unknow
雪崩能效等级(Eas) 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e0 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED 1 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 1 1
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260 NOT SPECIFIED 260 235 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 225 A 225 A 225 A 225 A 225 A 225 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO YES YES NO YES YES
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics

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