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UZC835BTC

产品描述Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小335KB,共8页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UZC835BTC概述

Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3

UZC835BTC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最小击穿电压25 V
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比5
标称二极管电容68 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.33 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数100
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
变容二极管分类HYPERABRUPT
Base Number Matches1

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830 series
Silicon 25V hyperabrupt varactor diodes
ZC829, ZDC833, ZMV829, ZMDC830 and ZV831
Description
A range of silicon varactor diodes for use in
frequency control and filtering. Featuring
closely controlled CV characteristics and high
Q. Low reverse current ensures very low phase
noise performance. Available in single or dual
common cathode format in a wide rage of
miniature surface mount packages.
SOT23
SOT323
Features
Close tolerance CV characteristics
High tuning ratio
Low I
R
(typically 200pA)
Excellent phase noise performance
High Q
Range of miniature surface mount packages
SOD523
SOD323
Applications
VCXO and TCXO
Wireless communications
Pagers
Mobile radio
Where steeper CV slopes are required there is the 12V hyperabrupt range:
ZC930, ZMV930, ZV930 and ZV931
Issue 11 - January 2007
© Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
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