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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> AGR19060EU

AGR19060EU: 产品描述L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小207KB，共11页; 制造商AVAGO; 官网地址http://www.avagotech.com/

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AGR19060EU概述

L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

AGR19060EU规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-CDFP-F2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	175 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

AGR19060EU相似产品对比

	AGR19060EU	AGR19060EF
描述	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2
包装说明	FLATPACK, R-CDFP-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V	65 V
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-CDFP-F2	R-CDFM-F2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225	225
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	175 W	175 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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