SPD30N08S222NTMA1,SPD30N08S222NTMA1 pdf中文资料,SPD30N08S222NTMA1引脚图,SPD30N08S222NTMA1电路-Datasheet-电子工程世界

SPD30N08S222NTMA1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小264KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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SPD30N08S222NTMA1概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	240 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	75 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.026 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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