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AS7C164A-12JC

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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制造商Alliance Memory
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AS7C164A-12JC概述

Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

AS7C164A-12JC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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Š
$6&
9 .[ &026 65$0
)HDWXUHV
• AS7C164 (5V version)
• Commercial temperature
• Organization: 8,192 words × 8 bits
• Center power and ground pins
• High speed
- 12/15/20 ns address access time
- 6/7/8 ns output enable access time
• Low power consumption: ACTIVE
- 550 mW (AS7C164) / max @ 12 ns
• Low power consumption: STANDBY
- 11 mW (AS7C164) / max CMOS I/O
• 2.0V data retention
• Easy memory expansion with CE1, CE2, OE inputs
• TTL-compatible, three-state I/O
• 28-pin JEDEC standard package
- 300 mil SOJ
• ESD protection
2000 volts
• Latch-up current
200 mA
/RJLF EORFN GLDJUDP
V
CC
GND
Input buffer
A1
A2
A3
A4
A10
A11
A12
I/O7
3LQ DUUDQJHPHQW
28-pin PDIP, SOJ (300 mL)
I/O0
Column decoder
A A A AA A
0 5 6 7 8 9
WE
OE
CE1
CE2
Control
circuit
6HOHFWLRQ JXLGH
-12
Maximum address access time
Maximum output enable access time
Maximum operating current
Maximum CMOS standby current
12
6
110
2.0
-15
15
7
100
2.0
-20
20
8
90
2.0
Unit
ns
ns
mA
mA

Y
$OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
AS7C164
128×64×8
Array
(65,536)
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Vcc
WE
CE2
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
Row decoder
Sense amp
 RI 
&RS\ULJKW ‹ $OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU $OO ULJKWV UHVHUYHG

AS7C164A-12JC相似产品对比

AS7C164A-12JC AS7C164A-20JC AS7C164A-15JC
描述 Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ,
针数 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 12 ns 20 ns 15 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - Alliance Memory Alliance Memory
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