LM118MDS放大器基础信息：
LM118MDS是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP
LM118MDS放大器核心信息：
LM118MDS的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为：0.25 µA他的最大平均偏置电流为0.5 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LM118MDS的标称压摆率有70 V/us。厂商给出的LM118MDS的最大压摆率为11 mA，而最小压摆率为50 V/us。其最小电压增益为25000。
LM118MDS的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LM118MDS的输入失调电压为6000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LM118MDS的相关尺寸：
其端子位置类型为：UPPER。
LM118MDS放大器其他信息：
LM118MDS采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM118MDS的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。
LM118MDS不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：X-XUUC-N。LM118MDS的封装代码是：DIE。LM118MDS封装的材料多为UNSPECIFIED。
而其封装形状为UNSPECIFIED。LM118MDS封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。
LM118MDS放大器基础信息：
LM118MDS是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP
LM118MDS放大器核心信息：
LM118MDS的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为：0.25 µA他的最大平均偏置电流为0.5 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LM118MDS的标称压摆率有70 V/us。厂商给出的LM118MDS的最大压摆率为11 mA，而最小压摆率为50 V/us。其最小电压增益为25000。
LM118MDS的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LM118MDS的输入失调电压为6000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LM118MDS的相关尺寸：
其端子位置类型为：UPPER。
LM118MDS放大器其他信息：
LM118MDS采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM118MDS的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。
LM118MDS不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：X-XUUC-N。LM118MDS的封装代码是：DIE。LM118MDS封装的材料多为UNSPECIFIED。
而其封装形状为UNSPECIFIED。LM118MDS封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | WAFER |
| 包装说明 | DIE, DIE OR CHIP |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
| 低-失调 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIE |
| 封装等效代码 | DIE OR CHIP |
| 封装形状 | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | +-5/+-20 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 最小摆率 | 50 V/us |
| 标称压摆率 | 70 V/us |
| 最大压摆率 | 11 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 最小电压增益 | 25000 |
| Base Number Matches | 1 |
| LM118MDS | |
|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, UUC, DIE, Operational Amplifier |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | WAFER |
| 包装说明 | DIE, DIE OR CHIP |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
| 低-失调 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIE |
| 封装等效代码 | DIE OR CHIP |
| 封装形状 | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | +-5/+-20 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 最小摆率 | 50 V/us |
| 标称压摆率 | 70 V/us |
| 最大压摆率 | 11 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 最小电压增益 | 25000 |
| Base Number Matches | 1 |
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