L-Band GaAs Power FET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hexawave |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.6 A |
| FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-G2 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 12 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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