电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

31DF1

产品描述1.6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小50KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

31DF1概述

1.6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
31DF1(Z) --- 31DF2(Z)
VOLTAGE RANGE: 100 --- 200 V
CURRENT: 1.6 A
SUPER FAST RECTIFIERS
DO - 27
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol and
similar solvents
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL-STD202,method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,50Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
31DF1
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
31DF2
200
140
200
1.6
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
Peak forw ard surge current
10ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
125.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ I
F
=1.6A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T =25
A
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.98
5.0
50.0
30
90
34
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0264016
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

31DF1相似产品对比

31DF1 31DF1Z 31DF2Z 31DF2
描述 1.6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
学生造电动车续航能力超特斯拉
澳大利亚大学一群学生发明eVe电动车,单次充电后可以百公里时速行驶5小时。 http://img1.gtimg.com/tech/pics/hv1/38/16/1672/108725918.jpg 腾讯科技讯 8月5日,电动车厂商特斯拉遇到了 ......
Benjoy 能源基础设施
STM32F051 LSE晶体问题
今天调试电路,发现板子的时钟快了。一天快了20来分钟。后来检查发现LSE是启动了。 如果去掉外部32.768晶体是没法子工作的。 不知道原因,换了个10P电容就好了。时间很准。原来电容是6P ,后 ......
damiaa stm32/stm8
AVR的mega,xmega和stm32比,有啥优势?
同样价钱,基本有同样容量的flash,ram,xmega的功能主频还强些,但和stm32比还是差, avr的生存空间在哪里?...
凯哥 stm32/stm8
我想用MSP430F5529定时器,每隔2ms产生一个中断
求助各位大神...
a249115 微控制器 MCU
有没有朋友调试过SDRAM
我是用FPGA控制SDR SDRAM,前段时间调试是通过了,可以实现八位突发读写。今天又重新用以前的程序来做,他去不能八位突发写了,但是能八位突发读。不管是突发写还是单位写都只能写进去一位。不 ......
wenhuawu FPGA/CPLD
DriverWorks如何直接访问IO?
有没有类似于DDK操作端口的函数( WRITE_PORT_UCHAR(0x378,0))??? DriverWorks中访问端口用KIoRange,但是它首先初始化为基地址的,不能直接访问固定地址!...
fjqiuh 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1050  168  1069  1202  1209  22  4  25  44  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved