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T4301N29TOF

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小266KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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T4301N29TOF概述

Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element

T4301N29TOF规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Codecompliant
标称电路换相断开时间250 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率1000 V/us
最大直流栅极触发电流350 mA
最大直流栅极触发电压2.5 V
最大维持电流350 mA
JESD-30 代码O-CXDB-X4
最大漏电流200 mA
通态非重复峰值电流95000 A
元件数量1
端子数量4
最大通态电流4460000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
最大均方根通态电流6330 A
断态重复峰值电压2900 V
重复峰值反向电压2900 V
表面贴装YES
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

T4301N29TOF相似产品对比

T4301N29TOF T4301N22TOF
描述 Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
包装说明 DISK BUTTON, O-CXDB-X4 DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code compliant compliant
标称电路换相断开时间 250 µs 250 µs
配置 SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 1000 V/us 1000 V/us
最大直流栅极触发电流 350 mA 350 mA
最大直流栅极触发电压 2.5 V 2.5 V
最大维持电流 350 mA 350 mA
JESD-30 代码 O-CXDB-X4 O-CXDB-X4
最大漏电流 200 mA 200 mA
通态非重复峰值电流 95000 A 95000 A
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最大通态电流 4460000 A 4460000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
最大均方根通态电流 6330 A 6330 A
断态重复峰值电压 2900 V 2200 V
重复峰值反向电压 2900 V 2200 V
表面贴装 YES YES
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR
Base Number Matches 1 1
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