Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CXDB-X4 |
Reach Compliance Code | compliant |
标称电路换相断开时间 | 250 µs |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 350 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2.5 V |
最大维持电流 | 350 mA |
JESD-30 代码 | O-CXDB-X4 |
最大漏电流 | 200 mA |
通态非重复峰值电流 | 95000 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最大通态电流 | 4460000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
最大均方根通态电流 | 6330 A |
断态重复峰值电压 | 2900 V |
重复峰值反向电压 | 2900 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UNSPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
T4301N29TOF | T4301N22TOF | |
---|---|---|
描述 | Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element | Silicon Controlled Rectifier, 6330A I(T)RMS, 4460000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CXDB-X4 | DISK BUTTON, O-CXDB-X4 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
标称电路换相断开时间 | 250 µs | 250 µs |
配置 | SINGLE | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 350 mA | 350 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2.5 V | 2.5 V |
最大维持电流 | 350 mA | 350 mA |
JESD-30 代码 | O-CXDB-X4 | O-CXDB-X4 |
最大漏电流 | 200 mA | 200 mA |
通态非重复峰值电流 | 95000 A | 95000 A |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最大通态电流 | 4460000 A | 4460000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON |
最大均方根通态电流 | 6330 A | 6330 A |
断态重复峰值电压 | 2900 V | 2200 V |
重复峰值反向电压 | 2900 V | 2200 V |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
触发设备类型 | SCR | SCR |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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