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BYD57M115: 产品描述DIODE 0.4 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小180KB，共6页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BYD57M115概述

DIODE 0.4 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

	BYD57M115	BYD57D115	BYD57D135
描述	DIODE 0.4 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.4 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.4 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明	O-LELF-R2	O-LELF-R2	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-LELF-R2	O-LELF-R2	O-LELF-R2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
最大输出电流	0.4 A	0.4 A	0.4 A
封装主体材料	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1000 V	200 V	200 V
最大反向恢复时间	0.075 µs	0.03 µs	0.03 µs
表面贴装	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	WRAP AROUND	WRAP AROUND	WRAP AROUND
端子位置	END	END	END
Base Number Matches	1	1	-

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ