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1N4001

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小42KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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1N4001概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 硅, 信号二极管

1N4001规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述MINIATURE PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大平均正向电流1 A

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BL
GALAXY ELECTRICAL
PLAST IC SILICON RECT IFIER
FEATURES
Low cos t
Diffus ed junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with Freon,Alcohol,Is opropanol
and s im ilar s olvents
The plas tic m aterial carries U/L recognition 94V-0
1N4001- - - 1N4007
VOLT AGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT : 1.0 A
DO - 41
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--41,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012ounces ,0.34 gram s
Mounting pos ition: Any
M AXIM UM RAT INGS AND ELECT RICAL CHARACT ERIST ICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,60 Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
1N
4001
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead lengths,
Peak f orw ard surge current
8.3ms s ingle half -s ine-w av e
superimposed on rated load
@T
J
=125
@T
A
=75
1N
1N
1N
1N
1N
1N
UNITS
4002 4003 4004 4005 4006 4007
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
R MS
V
DC
I
F (AV)
50
35
50
I
F SM
40.0
A
Maximum instantaneous f orw ard voltage
@ 1.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.0
5.0
50.0
15
50
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
A
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Thermal resistance from junction to ambient.
www.galaxycn.com
Document Number 0260002
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1
状态 ACTIVE TRANSFERRED ACTIVE TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 线 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 UNSPECIFIED 塑料/环氧树脂 UNSPECIFIED 玻璃
结构 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料
二极管类型 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A
加工封装描述 MINIATURE PACKAGE-2 - CASE R-1, 2 PIN ALF-2, DO-41, 2 PIN
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