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RB521S-30

产品描述0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB521S-30概述

0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RB521S-30规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-79
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB521S-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB521S-30
Applications
Low current rectification and high speed switching
External dimensions
(Units : mm)
CATHODE MARK
Features
1) Extremely small surface mounting type. (EMD2)
2) I
O
=200mA guaranteed despite the size.
3) Low V
F
.( V
F
=0.40V Typ. At 200mA )
1.2±0.05
1.6±0.1
C
0.3±0.05
0.8±0.05
0.6±0.1
0.12±0.05
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : EMD2
EIAJ : SC-79
JEDEC : SOD-523
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature
60Hz for 1
Symbol
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
200
1
125
−40~+125
Unit
V
mA
A
°C
°C
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Note) sensitive product handling required.
Symbol
V
F
I
R
Min.
Typ.
Max.
0.50
30
Unit
V
µA
I
F
=
200mA
V
R
=
10V
Conditions
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