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AN0416NA

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,160V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共3页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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AN0416NA概述

TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,160V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP

AN0416NA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性GATE PROTECTED
配置COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压160 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.03 A
最大漏极电流 (ID)0.03 A
最大漏源导通电阻350 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)2.4 pF
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
元件数量8
端子数量18
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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