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HS3GB

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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HS3GB概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

HS3GB规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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HS3AB thru HS3MB
SURFACE MOUNT
GLASS HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 3.0
Amperes
SMB
.083(2.11)
.075(1.91)
.155(3.94)
.130(3.30)
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(.305)
.006(.152)
.096(2.44)
.084(2.13)
MECHANICAL DATA
Case: Molded Plastic
Polarity:Color band denotes cathode
Weight: 0.003 ounces,0.093 grams
Mounting position: Any
.060(1.52)
.030(0.76)
.220(5.59)
.200(5.08)
.008(.203)
.002(.051)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 3.0A DC(Note1)
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=55
SYMBOL HS3AB HS3BB HS3DB HS3GB HS3JB HS3KB HS3MB
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
50
1.0
150
1.3
5.0
100
75
30
20
-50 to +150
-50 to +150
1.7
A
V
uA
nS
pF
℃/W
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note2)
Typical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A
,I
RR
=0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction to ambient
~ 111 ~

HS3GB相似产品对比

HS3GB HS3DB
描述 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
厂商名称 HY Electronic HY Electronic
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1 V
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL

 
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