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HS1D

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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HS1D概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

1 A, 200 V, 硅, 信号二极管, DO-214交流

HS1D规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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HS1A thru HS1M
SURFACE MOUNT
GLASS HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Amperes
SMA
.062(1.60)
.055(1.40)
.114(2.90)
.098(2.50)
.181(4.60)
.157(4.00)
.012(.305)
.006(.152)
MECHANICAL DATA
Case: Molded Plastic
Polarity: lndicated by cathode band
Weight: 0.002 ounces,0.064 grams
Mounting position: Any
.103(2.62)
.079(2.00)
.060(1.52)
.030(0.76)
.208(5.28)
.188(4.80)
.008(.203)
.002(.051)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 1.0A DC(Note1)
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=55
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
HS1A
50
35
50
HS1B
100
70
100
HS1D
200
140
200
HS1G
400
280
400
1.0
HS1J
600
420
600
HS1K
800
580
800
HS1M
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
20
1.0
30
1.3
5.0
100
75
10
25
-50 to +150
-50 to +150
1.7
A
V
uA
nS
pF
℃/W
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Tyical Junction Capacitance (Note2)
Tyical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction of ambient.
~ 101 ~

HS1D相似产品对比

HS1D HS1B HS1G
描述 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
最大输出电流 1 A 1 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
最大重复峰值反向电压 400 V 100 V -
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs -
表面贴装 YES YES -
端子形式 C BEND C BEND -
端子位置 DUAL DUAL -

 
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