KM6264BLS-10L,KM6264BLS-10L pdf中文资料,KM6264BLS-10L引脚图,KM6264BLS-10L电路-Datasheet-电子工程世界

KM6264BLS-10L: 产品描述Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小194KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM6264BLS-10L概述

Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28

KM6264BLS-10L规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	34.29 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.000005 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

KM6264BLS-10L相似产品对比

	KM6264BLS-10L	KM6264BLS-10	KM6264BLS-7	KM6264BLS-7L	KM6264BLS-12
描述	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3
针数	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	100 ns	70 ns	70 ns	120 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	34.29 mm	34.29 mm	34.29 mm	34.29 mm	34.29 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.000005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.000005 A	0.00005 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.045 mA	0.045 mA	0.055 mA	0.055 mA	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

KM6264BLS-10L

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KM6264BLS-10L规格参数

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