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1N5393G

产品描述1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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1N5393G概述

1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

1N5393G规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N5391G thru 1N5399G
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.5
Amperes
DO-15
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Low forward voltage drop
Low reverse leakage current
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
1.0(25.4
MIN
.034(0.9)
DI
.028(0.7)
.300(7.6)
.230(5.8)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-15 molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.015 ounces , 0.4 grams
Mounting position: Any
.140(3.6)
DI
.104(2.6)
1.0(25.4
MIN
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 1.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=70
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
5391G 5392G 5393G 5394G 5395G 5396G 5397G 5398G 5399G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.5
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
1.1
5.0
50
20
26
-55 to +150
-55 to +150
A
V
uA
pF
℃/W
NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
2.Thermal resistance junction of lead.
~ 23 ~

1N5393G相似产品对比

1N5393G 1N5391G 1N5392G 1N5394G
描述 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 RECTIFIER DIODE, DO-15
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-15 DO-15 DO-15 DO-15
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 100 V 300 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1
厂商名称 - HY Electronic HY Electronic HY Electronic
Is Samacsys - N N N

 
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