电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

EGP50B/72

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小187KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

EGP50B/72概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN

EGP50B/72规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
EGP50A thru EGP50G
Vishay Semiconductors
Glass Passivated Ultrafast Rectifier
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
j
max.
5.0 A
50 V to 400 V
150 A
50 ns
0.95 V, 1.25 V
150 °C
®
ted*
aten
P
*Glass Encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602,
brazed-lead assembly to
Patent No. 3,930,306
GP20
Features
Cavity-free glass-passivated junction
Ultrafast reverse recovery time
Low forward voltage drop
Low leakage current
Low switching losses, high efficiency
High forward surge capability
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Mechanical Data
Case:
GP20, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity:
Color band denotes cathode end
Typical Applications
For use in high frequency rectification and freewheel-
ing application in switching mode converters and
inverters for consumer, computer and Telecommuni-
cation
Maximum Ratings
T
A
= 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
L
= 55 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating and storage temperature range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
,T
STG
EGP50A EGP50B EGP50C EGP50D EGP50F EGP50G
50
35
50
100
70
100
150
105
150
5
150
- 65 to + 150
200
140
200
300
210
300
400
280
400
Unit
V
V
V
A
A
°C
Document Number 88585
10-Aug-05
www.vishay.com
1
电子管收音机的时代形象
有缘在地摊上淘得上广电上海144一台,业余操心三天,收拾完毕,根据自己经手的电子管收音机从上海高档一级132 ,二级144到地方南京熊猫武汉长江新疆孔雀从以及一般的民用711,163等无论品相和配 ......
秋水长天 聊聊、笑笑、闹闹
单片机怎样将浮点数转换成可显示的字符(或数字)?
使用C库函数,象printf,可以方便地将其显示。而对于单片机,处理能力有限,在实时性较强的应用中,一般自己编写处理程序,现在的问题是:怎么样更方便快速地将浮点数输出到显示器件上。 如 ......
dontium 单片机
学习4412开发板怎样移植华为E261上网卡
1环境及软件版本:电脑:Ubuntu 12.04系统 开发平台:迅为iTop-4412开发板https://img.alicdn.com/imgextra/i4/684017536/TB2q1O8cpXXXXXFXXXXXXXXXXXX_!!684017536.jpg 3G 模块:华为 E261 ......
mucheni 嵌入式系统
RF工程师必须掌握的内容:从浅入深解说S参数(附范例)
本帖最后由 他们逼我做卧底 于 2018-10-23 11:23 编辑 S参数测量是射频设计过程中的基本手段之一。S参数将元件描述成一个黑盒子,并被用来模拟电子元件在不同频率下的行为。在有源和无源电路 ......
他们逼我做卧底 无线连接
pcb设计生成网表
在用AD设计pcb时,生成网表的作用是什么,不生成可以吗?...
dxn0622 PCB设计
问关于结构体MSGQUEUEOPTIONS
结构体MSGQUEUEOPTIONS下面的cbMaxMessage字段代表什么?和dwMaxMessages有何区别?谢谢!...
sunylqh 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 730  169  333  1374  2432  20  23  12  14  55 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved