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AP3310GH

产品描述P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共6页
制造商APEC
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AP3310GH概述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP3310GH规格参数

参数名称属性值
厂商名称APEC
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AP3310GH相似产品对比

AP3310GH AP3310GHJ
描述 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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