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STM32中的内存 STM32中的内存包含两块主要区域：flash memory（只读）、static ram memory（SRAM，读写）。其中，flash memory 起始于0x08000000，SRAM起始于0x20000000。flash memory的第一部分存放异常向量表，表中包含了指向各种异常处理程序的指针。比如说，RESET Handler便位于0x08000004的位置，在...[详细]

真空共晶炉是一个关键的设备，用于制造和处理各种材料，尤其是在微电子和纳米技术领域。这种设备的核心组件之一就是加热板。在本文中，我们将详细介绍真空共晶炉的加热板，包括其结构，功能，以及在整个真空共晶过程中的作用。 首先，我们需要了解什么是加热板。简单来说，加热板是真空共晶炉中的一个重要部分，负责将电能转化为热能，提供足够的热量以满足共晶生长的需求。加热板通常由耐高温的材料制成，如石墨或者特殊的...[详细]

　　场可编程器件(FPGA和 CPLD )等ISP器件无须编程器，利用器件厂商提供的编程套件，采用自顶而下的模块化设计方法，使用原理图或硬件描述语言(VHDL)等方法来描述电路逻辑关系，可直接对安装在目标板上的器件编程。它易学、易用、简化了系统设计，减小了系统规模，缩短设计周期，降低了生产设计成本，从而给电子产品的设计和生产带来了革命性的变化。 本文引用地址： https://www.eepw...[详细]

近日， 小鹏汽车与芯联集成联合宣布，国内首个混合碳化硅产品已实现量产。 该产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。这一成果为提升新能源汽车的性能和降低成本开辟了新路径。 碳化硅（SiC）材料因其卓越的物理特性，如更高的导热系数、击穿电压和开关速度，在功率半导体领域展现出巨大优势，成为推动新能源汽车技术进步和未来发展的关键方向。 然而，较高的成本一直制约着碳化硅技术的广泛应用。...[详细]

据外媒报道，日产汽车近日已与美国电池技术公司LiCAP Technologies达成合作，旨在共同推进下一代电动汽车干法电极生产工艺技术的研发。 双方将共同致力于开发全固态电池（ASSB）正极的干法电极生产工艺技术，该技术是推动电动汽车发展的核心组件之一。 图片来源：日产 此次合作正值日产汽车计划在2028财年前推出搭载自主研发的全固态电池的电动汽车之际，该公司希望通过加强研发活动...[详细]

2025中国国际汽车测试展将于2025年8月27-29日在上海世博展览馆举行 2025年8月 22 日，英国克莱克顿海滨 —— 易开发、易部署、高性能的电子测试/验证系统的领先制造商与服务商，模块化信号开关和信号仿真解决方案的全球供应商，英国Pickering集团将在2025年8月27-29日举办的2025中国国际汽车测试展(Automotive Testing Expo China)期间，...[详细]

一、通信基础知识 1.1 通信到底传输的是什么？ 在逻辑层面，通信传输的是比特也就是二进制数。在物理层面上，当线路为电路时，发送方发送一个个持续小段时间的电压信号来表示这些二进制数，比如双方约定一个0.001秒的0V代表数字0，5V代表数字1，发送方发送先后发送两个持续0.001秒的0V和一个0.001秒的5V，就是相当于发送了001。这种持续一段时间的电压信号就是码元。当线路为无线电波时，码元...[详细]

下面就列出了一些STM32中重要的C语言知识点，初学的小伙伴可以多读几遍，其中大多知识点之前都有写过，这里重新整理一下，更详细地分析解释可以阅读附带的链接。 assert_param 断言（assert）就是用于在代码中捕捉这些假设，可以将断言看作是异常处理的一种高级形式。 断言表示为一些布尔表达式，程序员相信在程序中的某个特定点该表达式值为真。可以在任何时候启用和禁用断言验证，因此可以在测试时...[详细]

串联逆变器和并联逆变器的区别在于使用不同的振荡电路。串联逆变器将L、R和c串联，并联逆变器将L、R和c并联。 串联逆变器与并联逆变电源有哪些区别 串联逆变器的负载电路具有低阻抗。需要电压源电源，大滤波电容器应并联在DC电源端子上。如果逆变器发生故障，由于浪涌电流大，很难提供保护。 并联逆变器的负载电路呈现高阻抗，需要电流源供电。大型电抗器应串联在DC电力终端。如果逆变器发生故障，很容易提...[详细]

说起车辆的自燃问题，无论是纯电动汽车还是燃油车，都会有自燃的事件出现，对于同样是自燃，电动汽车和燃油车汽车有哪些不一样？ 从车辆的特性上面来说，电动汽车自燃以动力电池等部件所引起，而燃油车的自燃以电路和油路故障等问题所引起，纯电动汽车来说，采用的是三元锂电池，随着动力电池的能量密度变高，电池内部电极变得活跃，一旦电池出现问题，便会留下安全隐患，加之电动汽车电池组数量多，采用叠加电池来实现 ，...[详细]

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。 为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 ...[详细]

8月19日，中星联华科技受邀参加第三届信息通信仪器仪表产业技术论坛、信息通信测试仪器仪表专委会一届二次委员会。本次论坛由中国仪器仪表学会信息通信测试仪器仪表专业委员会（以下简称“专委会”）主办，中国移动研究院承办，以“ ‘仪’筑新质生产力，‘智’引测试新未来 ” 为主题，汇聚了中国移动、中国电信、中国联通、中国信通院及北京邮电大学等近百家单位代表，共推产业技术创新与协同发展。 作为...[详细]

作为低功耗无线连接领域的创新性领导厂商，Silicon Labs（亦称“芯科科技”）将于8月27至29日携其最前沿的人工智能（AI）和物联网（IoT）解决方案在深圳举办的IOTE 2025国际物联网展中盛大展出。 这场亚洲极具影响力的物联网行业盛会，将汇聚全球数千家企业与数万专业观众，而芯科科技将通过展演AI/ML、蓝牙信道探测、Matter跨协议和网关技术、低功耗Wi-Fi和Wi-SUN网状网...[详细]

【2025年8月19日, 德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布，其AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙 ® 微控制器（MCU）及软件开发套件（SDK）已通过验证，成为“Engineered for Intel ® Evo™笔记本配件计划”认证产品。 这是蓝牙TM人机接口设备（HID）行业首个获得该认证的产品。此次与英特尔合作使开发下一代HID设备的...[详细]

NPN和PNP是两种常用的晶体管电路。它们在工业自动化和控制系统中起着重要作用。本文将介绍NPN和PNP的区别，并介绍如何将它们与PLC接线。 一、NPN和PNP的区别 构成 NPN晶体管由一层N型半导体夹在两层P型半导体之间组成。PNP晶体管则由一层P型半导体夹在两层N型半导体之间组成。 工作原理 NPN晶体管在基极接收到正电压信号时，会将电流从集电极输出到发射极。PNP晶体管则在基极...[详细]