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RN4991(TE85L)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小286KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN4991(TE85L)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN4991(TE85L)规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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RN4991
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN4991
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 10kΩ
(Q1, Q2 Common)
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
5
100
Unit
V
V
V
mA
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8 mg (typ.)
Q2 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−5
−100
Unit
V
V
V
mA
1
2007-11-01

RN4991(TE85L)相似产品对比

RN4991(TE85L) RN4991HFE RN4991FS RN4991(TE85R)
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, EXTREME SUPERMINI, 2-2N1G, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 50 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1F1D, FS6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SUPERMINI, 2-2N1G, ES6, 6 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6 6 6
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.05 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 40 V 20 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 300 300 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING FLAT FLAT GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR - BUILT-IN BIAS RESISTOR
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz - 250 MHz
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