EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.59 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| KM28C256AI-20 | KM28C256AJI-20 | KM28C256AJ-20 | KM28C256A-20 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ | QFJ | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 | 32 | 32 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | YES | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 32 | 32 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | QCCJ | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 页面大小 | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.59 mm | 3.55 mm | 3.55 mm | 5.59 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | YES | YES | YES | YES |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
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