DDR DRAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, FBGA-136
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA136,12X17,32 |
| 针数 | 136 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.22 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 900 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B136 |
| 长度 | 14 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 136 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA136,12X17,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.9 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.1 A |
| 最大压摆率 | 1.27 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| K4J52324QE-BJ110 | K4J52324QE-BC140 | K4J52324QE-BC120 | K4J52324QE-BJ1A0 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, FBGA-136 | DDR DRAM, 16MX32, 0.26ns, CMOS, PBGA136, FBGA-136 | DDR DRAM, 16MX32, 0.23ns, CMOS, PBGA136, FBGA-136 | DDR DRAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136, FBGA-136 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA136,12X17,32 | TFBGA, BGA136,12X17,32 | TFBGA, BGA136,12X17,32 | TFBGA, BGA136,12X17,32 |
| 针数 | 136 | 136 | 136 | 136 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.22 ns | 0.26 ns | 0.23 ns | 0.2 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 900 MHz | 700 MHz | 800 MHz | 1000 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B136 | R-PBGA-B136 | R-PBGA-B136 | R-PBGA-B136 |
| 长度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 136 | 136 | 136 | 136 |
| 字数 | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 16MX32 | 16MX32 | 16MX32 | 16MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA136,12X17,32 | BGA136,12X17,32 | BGA136,12X17,32 | BGA136,12X17,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 1.9 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.9 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.1 A | 0.08 A | 0.09 A | 0.11 A |
| 最大压摆率 | 1.27 mA | 0.89 mA | 1.13 mA | 1.52 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2 V | 1.9 V | 1.9 V | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.9 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm |
| 厂商名称 | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| JESD-609代码 | - | e1 | e1 | e1 |
| 湿度敏感等级 | - | 3 | 3 | 3 |
| 端子面层 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
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