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30D2

产品描述1.7 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小19KB,共2页
制造商ETC
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30D2概述

1.7 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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½
DIODE
FEATURES
Type :
30D2
OUTLINE DRAWING
* Low Forward Voltage drop
* Low Reverse Leakage Current
* High Surge Capability
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RSM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
150
1.7
3.0
Approx Net Weight:1.24g
30D2
200
400
Ta=40°C *1
50Hz Half Sine
Wave Resistive Load
Ta=61°C *2
4.71
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Unit
V
V
A
A
A
°C
°C
Electrical
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
Symbol
I
RM
V
FM
Conditions
Tj= 25°C, V
RM
= V
RRM
Tj= 25°C, I
FM
= 3.0A
*1
*2
Min. Typ. Max.
-
-
-
-
-
-
50
0.93
80
34
Unit
µA
V
°C/W
Rth(j-a) Junction to Ambient
*1 : Without Fin or P.C. Board
*2 : With Cu Fin (20 x 20 x 1 t, L = 5mm, Both Sides)

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描述 1.7 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

 
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