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IRFBC40ASPBF

产品描述6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小594KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRFBC40ASPBF在线购买

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IRFBC40ASPBF概述

6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

IRFBC40ASPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)570 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.2 A
最大漏极电流 (ID)6.2 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)25 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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