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S1DT/R7

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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S1DT/R7概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

S1DT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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S1A~S1M
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification
94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Easy pick and place
• Glass passivated junction
• Complete device submersible temperature of 260°C for 10 seconds
in solder bath
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase , half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load , derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
L
= 1 0 0
O
S YM B O L
S1A
50
35
50
S1B
100
70
100
S1D
200
140
200
S1G
400
280
400
1 .0
30
1 .1
1 .0
50
12
30
S1J
600
420
600
S1K
800
560
800
S1M
1000
700
1000
U N IT S
V
V
V
A
A
V
µ
A
V
RRM
V
RMS
V
D C
C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J L
T
J
,T
S T G
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n R e s i s t a n c e ( N o t e 2 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
pF
O
C / W
O
-5 5 to +1 5 0
C
NOTES:
1. Measured at 1.0 Mhz and Applied Vr = 4.0 volts.
2. 8.0mm
2
(.013 mm thick) land areas.
STAD-FEB.27.2009
1
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