LT1001CJ8放大器基础信息：
LT1001CJ8是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERDIP-8
LT1001CJ8放大器核心信息：
LT1001CJ8的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.004 µA他的最大平均偏置电流为0.0055 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT1001CJ8的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的LT1001CJ8的最大压摆率为2.5 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为250000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT1001CJ8增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。
LT1001CJ8的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT1001CJ8的输入失调电压为110 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LT1001CJ8的宽度为：7.62 mm。
LT1001CJ8的相关尺寸：
LT1001CJ8拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LT1001CJ8放大器其他信息：
LT1001CJ8采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。LT1001CJ8的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：COMMERCIAL。LT1001CJ8不符合Rohs认证。
其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT1001CJ8的封装代码是：DIP。LT1001CJ8封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。LT1001CJ8封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
LT1001CJ8放大器基础信息：
LT1001CJ8是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERDIP-8
LT1001CJ8放大器核心信息：
LT1001CJ8的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.004 µA他的最大平均偏置电流为0.0055 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT1001CJ8的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的LT1001CJ8的最大压摆率为2.5 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为250000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT1001CJ8增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。
LT1001CJ8的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT1001CJ8的输入失调电压为110 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LT1001CJ8的宽度为：7.62 mm。
LT1001CJ8的相关尺寸：
LT1001CJ8拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LT1001CJ8放大器其他信息：
LT1001CJ8采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。LT1001CJ8的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：COMMERCIAL。LT1001CJ8不符合Rohs认证。
其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT1001CJ8的封装代码是：DIP。LT1001CJ8封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。LT1001CJ8封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, CERDIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0055 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.004 µA |
| 标称共模抑制比 | 123 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 110 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.25 V/us |
| 最大压摆率 | 2.5 mA |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 800 kHz |
| 最小电压增益 | 250000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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