电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

LTC1150CJ

产品描述

LTC1150CJ放大器基础信息:

LTC1150CJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

LTC1150CJ放大器核心信息:

LTC1150CJ的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.00005 µA他的最大平均偏置电流为0.0001 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LTC1150CJ的标称压摆率有3 V/us。厂商给出的LTC1150CJ的最大压摆率为1.8 mA.其最小电压增益为10000000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LTC1150CJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2500 kHz。LTC1150CJ的可编程功率为YES。

LTC1150CJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LTC1150CJ的输入失调电压为5 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LTC1150CJ的相关尺寸:

LTC1150CJ的宽度为:7.62 mm,长度为19.43 mmLTC1150CJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

LTC1150CJ放大器其他信息:

LTC1150CJ采用了CHOPPER-STAB的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LTC1150CJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。

LTC1150CJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。LTC1150CJ的封装代码是:DIP。LTC1150CJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。LTC1150CJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小213KB,共6页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
器件替换:LTC1150CJ替换放大器
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

LTC1150CJ概述

LTC1150CJ放大器基础信息:

LTC1150CJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

LTC1150CJ放大器核心信息:

LTC1150CJ的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.00005 µA他的最大平均偏置电流为0.0001 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LTC1150CJ的标称压摆率有3 V/us。厂商给出的LTC1150CJ的最大压摆率为1.8 mA.其最小电压增益为10000000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LTC1150CJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2500 kHz。LTC1150CJ的可编程功率为YES。

LTC1150CJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LTC1150CJ的输入失调电压为5 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LTC1150CJ的相关尺寸:

LTC1150CJ的宽度为:7.62 mm,长度为19.43 mmLTC1150CJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

LTC1150CJ放大器其他信息:

LTC1150CJ采用了CHOPPER-STAB的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LTC1150CJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。

LTC1150CJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。LTC1150CJ的封装代码是:DIP。LTC1150CJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。LTC1150CJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

LTC1150CJ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构CHOPPER-STAB
最大平均偏置电流 (IIB)0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00005 µA
最小共模抑制比115 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压5 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T14
JESD-609代码e0
长度19.43 mm
低-偏置YES
低-失调YES
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量1
端子数量14
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5/+-15 V
可编程功率YES
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率3 V/us
最大压摆率1.8 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽2500 kHz
最小电压增益10000000
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

LTC1150CJ相似产品对比

LTC1150CJ LTC1150MJ 5-1393806-8
描述 IC OP-AMP, 5 uV OFFSET-MAX, 2.5 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14, Operational Amplifier IC OP-AMP, 5 uV OFFSET-MAX, 2.5 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14, Operational Amplifier Great variety of contact arrangements and materials to meet specific applications
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
零件包装代码 DIP DIP -
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 -
针数 14 14 -
Reach Compliance Code unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER -
架构 CHOPPER-STAB CHOPPER-STAB -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0001 µA 0.0008 µA -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00005 µA 0.00005 µA -
最小共模抑制比 115 dB 120 dB -
频率补偿 YES YES -
最大输入失调电压 5 µV 5 µV -
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 -
JESD-609代码 e0 e0 -
长度 19.43 mm 19.43 mm -
低-偏置 YES YES -
低-失调 YES YES -
负供电电压上限 -18 V -18 V -
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -
功能数量 1 1 -
端子数量 14 14 -
最高工作温度 85 °C 125 °C -
最低工作温度 -40 °C -55 °C -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED -
封装代码 DIP DIP -
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5/+-15 V 5/+-15 V -
可编程功率 YES YES -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm -
标称压摆率 3 V/us 3 V/us -
最大压摆率 1.8 mA 1.8 mA -
供电电压上限 18 V 18 V -
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V -
表面贴装 NO NO -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
标称均一增益带宽 2500 kHz 2500 kHz -
最小电压增益 10000000 10000000 -
宽度 7.62 mm 7.62 mm -
Base Number Matches 1 1 -

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1437  729  2578  323  631  29  15  52  7  13 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved