LTC1150CJ放大器基础信息:
LTC1150CJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3
LTC1150CJ放大器核心信息:
LTC1150CJ的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.00005 µA他的最大平均偏置电流为0.0001 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LTC1150CJ的标称压摆率有3 V/us。厂商给出的LTC1150CJ的最大压摆率为1.8 mA.其最小电压增益为10000000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LTC1150CJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2500 kHz。LTC1150CJ的可编程功率为YES。
LTC1150CJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LTC1150CJ的输入失调电压为5 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LTC1150CJ的相关尺寸:
LTC1150CJ的宽度为:7.62 mm,长度为19.43 mmLTC1150CJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
LTC1150CJ放大器其他信息:
LTC1150CJ采用了CHOPPER-STAB的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LTC1150CJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。
LTC1150CJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。LTC1150CJ的封装代码是:DIP。LTC1150CJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。LTC1150CJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
LTC1150CJ放大器基础信息:
LTC1150CJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3
LTC1150CJ放大器核心信息:
LTC1150CJ的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.00005 µA他的最大平均偏置电流为0.0001 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LTC1150CJ的标称压摆率有3 V/us。厂商给出的LTC1150CJ的最大压摆率为1.8 mA.其最小电压增益为10000000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LTC1150CJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2500 kHz。LTC1150CJ的可编程功率为YES。
LTC1150CJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。LTC1150CJ的输入失调电压为5 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LTC1150CJ的相关尺寸:
LTC1150CJ的宽度为:7.62 mm,长度为19.43 mmLTC1150CJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
LTC1150CJ放大器其他信息:
LTC1150CJ采用了CHOPPER-STAB的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LTC1150CJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。
LTC1150CJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。LTC1150CJ的封装代码是:DIP。LTC1150CJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。LTC1150CJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | CHOPPER-STAB |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 最小共模抑制比 | 115 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 5 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | YES |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/+-15 V |
| 可编程功率 | YES |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 3 V/us |
| 最大压摆率 | 1.8 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 2500 kHz |
| 最小电压增益 | 10000000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LTC1150CJ | LTC1150MJ | 5-1393806-8 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 5 uV OFFSET-MAX, 2.5 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 5 uV OFFSET-MAX, 2.5 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14, Operational Amplifier | Great variety of contact arrangements and materials to meet specific applications |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP14,.3 | - |
| 针数 | 14 | 14 | - |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - |
| 架构 | CHOPPER-STAB | CHOPPER-STAB | - |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.0008 µA | - |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA | 0.00005 µA | - |
| 最小共模抑制比 | 115 dB | 120 dB | - |
| 频率补偿 | YES | YES | - |
| 最大输入失调电压 | 5 µV | 5 µV | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-GDIP-T14 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 长度 | 19.43 mm | 19.43 mm | - |
| 低-偏置 | YES | YES | - |
| 低-失调 | YES | YES | - |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | - |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 14 | 14 | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | - |
| 封装代码 | DIP | DIP | - |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 5/+-15 V | 5/+-15 V | - |
| 可编程功率 | YES | YES | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | - |
| 标称压摆率 | 3 V/us | 3 V/us | - |
| 最大压摆率 | 1.8 mA | 1.8 mA | - |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | MILITARY | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 标称均一增益带宽 | 2500 kHz | 2500 kHz | - |
| 最小电压增益 | 10000000 | 10000000 | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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