LTC1052MP放大器基础信息：
LTC1052MP是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-8
LTC1052MP放大器核心信息：
LTC1052MP的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.00003 µA他的最大平均偏置电流为0.00003 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LTC1052MP的标称压摆率有4 V/us。厂商给出的LTC1052MP的最大压摆率为2 mA.其最小电压增益为1000000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LTC1052MP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1200 kHz。LTC1052MP的功率为NO。其可编程功率为NO。
LTC1052MP的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。LTC1052MP的输入失调电压为5 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LTC1052MP的相关尺寸：
LTC1052MP的宽度为：7.62 mm，长度为9.81 mmLTC1052MP拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LTC1052MP放大器其他信息：
LTC1052MP采用了CHOPPER-STAB的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LTC1052MP的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其不属于微功率放大器。LTC1052MP不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T8。LTC1052MP的封装代码是：DIP。LTC1052MP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。LTC1052MP封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
LTC1052MP放大器基础信息：
LTC1052MP是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-8
LTC1052MP放大器核心信息：
LTC1052MP的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.00003 µA他的最大平均偏置电流为0.00003 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LTC1052MP的标称压摆率有4 V/us。厂商给出的LTC1052MP的最大压摆率为2 mA.其最小电压增益为1000000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LTC1052MP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1200 kHz。LTC1052MP的功率为NO。其可编程功率为NO。
LTC1052MP的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。LTC1052MP的输入失调电压为5 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LTC1052MP的相关尺寸：
LTC1052MP的宽度为：7.62 mm，长度为9.81 mmLTC1052MP拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LTC1052MP放大器其他信息：
LTC1052MP采用了CHOPPER-STAB的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LTC1052MP的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其不属于微功率放大器。LTC1052MP不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T8。LTC1052MP的封装代码是：DIP。LTC1052MP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。LTC1052MP封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | CHOPPER-STAB |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA |
| 最小共模抑制比 | 120 dB |
| 标称共模抑制比 | 140 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 5 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 长度 | 9.81 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | YES |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-5 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 4 V/us |
| 最大压摆率 | 2 mA |
| 供电电压上限 | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1200 kHz |
| 最小电压增益 | 1000000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LTC1052MP | LTC1052CDR | LTC1052MD | LTC1052MDR | LTC1052CL | LTC1052CJG | LTC1052ML | LTC1052MJG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8 | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, PDSO8, SO-8 | IC OP-AMP, 5 uV OFFSET-MAX, 1.2 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplifier | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, MBCY8, HERMETIC SEALED, METAL CAN-8 | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, MBCY8, HERMETIC SEALED, METAL CAN-8 | OP-AMP, 5uV OFFSET-MAX, 1.2MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC | SOIC | BCY | DIP | BCY | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-8 | SOIC-8 | SO-8 | SOIC-8 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown | unknown | unknown | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA | 0.000175 µA | 0.00003 µA | 0.001 µA | 0.000175 µA | 0.000175 µA | 0.001 µA | 0.001 µA |
| 标称共模抑制比 | 140 dB | 140 dB | 140 dB | 140 dB | 140 dB | 140 dB | 140 dB | 140 dB |
| 最大输入失调电压 | 5 µV | 5 µV | 5 µV | 5 µV | 5 µV | 5 µV | 5 µV | 5 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -40 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL | IN-LINE | CYLINDRICAL | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 4 V/us | 4 V/us | 4 V/us | 4 V/us | 4 V/us | 4 V/us | 4 V/us | 4 V/us |
| 供电电压上限 | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | YES | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | GULL WING | WIRE | THROUGH-HOLE | WIRE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | BOTTOM | DUAL | BOTTOM | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 1200 kHz | 1200 kHz | 1200 kHz | 1200 kHz | 1200 kHz | 1200 kHz | 1200 kHz | 1200 kHz |
| 最小电压增益 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | - | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 架构 | CHOPPER-STAB | - | - | - | CHOPPER-STAB | CHOPPER-STAB | CHOPPER-STAB | CHOPPER-STAB |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA | - | - | - | 0.00003 µA | 0.00003 µA | 0.00003 µA | 0.00003 µA |
| 频率补偿 | YES | - | - | - | YES | YES | YES | YES |
| 长度 | 9.81 mm | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.9 mm | - | 9.6 mm | - | 9.6 mm |
| 低-偏置 | YES | - | - | - | YES | YES | YES | YES |
| 低-失调 | YES | - | - | - | YES | YES | YES | YES |
| 微功率 | NO | - | - | - | NO | NO | NO | NO |
| 封装代码 | DIP | SOP | SOP | SOP | - | DIP | - | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | - | - | - | CAN8,.2 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | DIP8,.3 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO | - | - | - | NO | NO | NO | NO |
| 电源 | +-5 V | - | - | - | +-5 V | +-5 V | +-5 V | +-5 V |
| 可编程功率 | NO | - | - | - | NO | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | - | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 2 mA | - | 2 mA | - | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽带 | NO | - | - | - | NO | NO | NO | NO |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | - | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
stm32/stm8
无线连接
能源基础设施
ARM技术
NXP MCU
电源技术
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
