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IRG4CC10KBPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRG4CC10KBPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

IRG4CC10KBPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD- 91825
IRG4CC10KB
IRG4CC10KB IGBT Die in Wafer Form
C
600 V
Size 1
G
E
Ultra-Fast Speed
Short Circuit Rated
6" Wafer
Electrical Characteristics ( Wafer Form )
Parameter
V
CE (on)
V
(BR)CES
V
GE(th)
I
CES
I
GES
Description
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate-to-Emitter Leakage Current
Guaranteed (Min/Max)
4.5V Max.
600V Min.
3.0V Min., 6.5V Max.
250µA Max.
± 1.1µA Max.
Test Conditions
I
C
= 1.5A, T
J
= 25°C, V
GE
= 15V
T
J
= 25°C, I
CES
= 250µA, V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
=25°C, I
C
=250µA
T
J
= 25°C, V
CE
= 600V
T
J
= 25°C, V
GE
= +/- 20V
Mechanical Data
Nominal Backmetal Composition, Thickness:
Nominal Front Metal Composition, Thickness:
Dimensions:
Wafer Diameter:
Wafer thickness:
Relevant Die Mechanical Dwg. Number
Minimum Street Width
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment:
Recommended Die Attach Conditions
Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4BC10K
Cr-NiV-Ag (1 kA-2kA-2.5kA )
99% Al, 1% Si (4 microns)
.080" x .120"
150mm, with std. < 100 > flat
.015" + / -.003"
01-5274
100 Microns
0.25mm Diameter Minimum
Consistent throughout same wafer lot
Store in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
For optimum electrical results, die attach
temperature should not exceed 300C
Die Outline
www.irf.com
12\4\98

IRG4CC10KBPBF相似产品对比

IRG4CC10KBPBF
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 DIE
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数 2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 R-XUUC-N2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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