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IRFW820A

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小216KB,共6页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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IRFW820A概述

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

IRFW820A规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)208 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.5 A
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFW820A相似产品对比

IRFW820A IRFI820A
描述 Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 208 mJ 208 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.5 A 2.5 A
最大漏极电流 (ID) 2.5 A 2.5 A
最大漏源导通电阻 3 Ω 3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.1 W 3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8 A 8 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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